“当芯片加工制程进入到7nm的时候，如果只是单纯的缩小晶体管尺寸，漏电量会大到难以承受。所以我推断，在7nm工艺节点上，必须设计一种全新的晶体管结构，以降低量子隧穿效应，减少漏电。而现在主流的EDA软件中，均没有引入这一设计，想要短期内设计出7nm芯片，基本没有可能。”胡总也说出了他的推断，这一点和现实情况基本相符。

　　为了解决7nm以下晶体管漏电问题，全球各家顶尖芯片研发实验室、晶圆代工厂，提出了多种不同的解决方案，其中比较经典的是FinFET（FinField-EffectTransistor），中文名称为鳍式场效应晶体管。使用这种全新的架构可以有效的降低晶体管电极之间的漏电现象，将芯片制程推进到3nm，甚至2nm的程度。当然这些都是十年后的研发进展，在12年的当下，FinFET还只是一种理论猜想，即使个别团队做出了这种结构的晶体管，也仅限于实验室，并没有应用到实际的芯片生产上。

　　“不知道你们有没有听说过FinFET工艺，它可以极大的增加单位尺寸的晶体管密度，并有效降低晶体管漏电。这条芯片生产线上现在正在生产的内存芯片，就是基于FinFET技术设计的，生产出来的内存颗粒，发热量极小，超频性能极其优秀。”乔瑞达从兜里拿出一枚指甲盖大小的内存颗粒，展示给现场的众人。

　　胡总从乔瑞达手中接过内存颗粒，饶有兴趣的观看着，“2GLPDDR3，如此小的一颗内存颗粒，竟然有2G大小，7nm制程工艺真是利害。这个FinFET我听说过，国外有个别芯片实验室，已经在晶圆上加工出了这种鳍式场效应晶体管，参数确实非常的优秀，可以在一定程度解决晶体管漏电问题。只是我还未听说过，任何一家晶圆厂，将FinFET技术应用在芯片的实际生产中，你们是如何做到的。”

　　“这个就说来话长了，早在拿到这台EUV光刻机的时候，我们瑞达科技就着手研究7nm芯片的生产技术。为了解决晶体管漏电难题，我们设计了一款全新的FinFET架构，并申请了专利。这款内存芯片，就是基于这个专利设计出来的。目前我们瑞达科技研发部，正在编写一款纯国产的EDA软件，其中就包括了7NM，甚至5NM芯片的设计功能。等到EDA软件编写完成，我可以免费授权给你们使用，咱们共同开发，共同改进，争取做出一款适合国人使用的EDA软件。”

　　瑞达科技研发部软件研发小组，和芯片研发小组，自从放完带薪假期，回到公司之后，乔瑞达就将研发EDA软件的任务交给了他

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